介电可调氧化物薄膜由于具有介电非线性特性而越来越受到关注，其介电常数电场可调性可利用于制备移相器、自适应匹配网络、电调滤波器、压控振荡器、电控衰减器、微波开关、限幅器等方面，应用前景十分乐观。BaxSr1-xTiO3 (BST)薄膜是当前最受关注的介电可调氧化物薄膜材料，但BST薄膜的介电损耗较高(～0.02)，制备成微波器件后，品质因子及插入损耗值等性能会因此劣化，限制实际应用。为了解决BST薄膜的介电损耗问题，我校电子工程与智能化学院吴木营教授课题组将BaxSr1-xTiO3中的Sr离子替换为Sn离子，利用脉冲激光沉积技术在Pt-Si基底上制备出了BaSn0.15Ti0.85O3(BTS)薄膜，并通过改变氧气压强的条件，最终制备出性能优良的介电可调薄膜。当外加电场为200 kV/cm时，该介电可调薄膜调谐率为～71.9%@100kHz，介电损耗为～0.009@100 kHz，品质因子为～81.1，性能指标远优于BST薄膜。该研究成果为发展高性介电可调氧化物薄膜提供了一种新的研究思路和方法。该研究成果“Influence of oxygen pressure on microstructure and dielectric properties of lead-free BaTi0.85Sn0.15O3 thin films prepared by pulsed laser deposition”发表在陶瓷领域的国际SCI期刊《Ceramics International》上。该刊物为中科院JCR数据库中的SCI二区刊物、影响因子为2.986。